Skip to Menu Skip to Search Contact Netherlands Websites & talen Skip to Content

Rasterelektronenmicroscopie (SEM) en transmissie-elektronenmicroscopie (TEM) zijn standaard beeldtechnieken voor het analyseren van halfgeleiderapparatuur en zijn onontbeerlijke hulpmiddelen bij de kwaliteitscontrole, foutenanalyse en bij de research en ontwikkeling.

Beide technieken kunnen worden toegepast op dwarsdoorsneden om de verticale structuur van apparatuur te onderzoeken. Dwarsdoorsneden kunnen op verschillende manieren worden gemaakt. De meest gangbare preparatiemethode is door middel van een gefocusseerde elektronenbundel (Focus Ion Beam of FIB).

SEM- en TEM-analyses van dwarsdoorsneden zijn een gespecialiseerde service van SGS. Onze ervaren medewerkers maken met geavanceerde apparatuur uiterst gedetailleerde opnamen wanneer u beelden nodig hebt met een hogere resolutie dan met een gewone lichtmicroscoop mogelijk is.

Wij maken voor tal van analytische doeleinden gebruik van SEM- en TEM-dwarsdoorsneden:

  • fysieke foutenanalyse
  • constructieanalyse
  • reverse engineering

Vraag SGS om meer informatie over hoe SEM- en TEM-dwarsdoorsnede-opnamen een belangrijk gereedschap bij de kwaliteitscontrole van uw producten kunnen zijn.